上诉人（一审原告、专利权人）：普某公司。

　　法定代表人：王某军。

　　委托诉讼代理人：丁金玲，北京市万慧达律师事务所律师。

　　被上诉人（一审被告）：国家知识产权局。

　　法定代表人：申长雨，该局局长。

　　委托诉讼代理人：刘利芳，该局审查员。

　　委托诉讼代理人：曹铭书，该局审查员。

　　一审第三人（无效宣告请求人）：聚某公司。

　　法定代表人：徐某。

　　委托诉讼代理人：刘丰，南京知识律师事务所律师。

　　委托诉讼代理人：万婧，南京知识律师事务所律师。

　　上诉人普某公司与被上诉人国家知识产权局及一审第三人聚某公司发明专利权无效行政纠纷一案，涉及专利权人为普某公司、名称为“发光二极管的低光损失电极结构”的发明专利（以下简称本专利）。针对聚某公司就本专利权提出的无效宣告请求，国家知识产权局作出第568430号无效宣告请求审查决定（以下简称被诉决定），宣告本专利权利要求26-32无效；普某公司不服，向北京知识产权法院（以下简称一审法院）提起诉讼。一审法院于2025年1月15日作出（2024）京73行初15558号行政判决（以下简称一审判决），驳回普某公司的诉讼请求；普某公司不服，向本院提起上诉。本院于2025年2月18日立案后，依法组成合议庭，并于2025年2月25日公开开庭审理了本案。上诉人普某公司的委托诉讼代理人丁金玲，被上诉人国家知识产权局的委托诉讼代理人刘利芳、曹铭书，一审第三人聚某公司的委托诉讼代理人刘丰、万婧到庭参加诉讼。本案现已审理终结。

　　本案基本事实如下：本专利系名称为“发光二极管的低光损失电极结构”的发明专利，专利权人为普某公司，专利号为200680054553.9，专利申请日为2006年8月31日，优先权日为2006年5月19日，授权公告日为2012年4月4日。作为本案审查基础的普某公司于2023年5月10日提交的权利要求1以及权利要求26-32内容如下：

　　“1.一种半导体发光二极管结构包括一半导体及用以提供一电位至该半导体的一电极结构，该电极结构包括：一金属电极；及一透光介电材料层形成在一半导体上，该介电材料的折射系数大于或等于1且小于该半导体的折射系数及该介电材料的厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2，该光是由该半导体发出，该介电材料以单一层形式对应该金属电极而形成以增加光的全内反射。

　　……

　　26.一种发光二极管包括被构成以发出一中心波长大约为λ的光的一氮化铝镓铟材料及一反射式电极结构，该反射式电极结构包括：一金属电极；二氧化硅介电材料层以单一层形式形成在该氮化铝镓铟材料上，该介电材料层的厚度大于接近λ/2；及其中至少一部分的该金属电极形成于该二氧化硅介电材料层上方，及另一部分的该金属电极与该氮化铝镓铟材料欧姆接触。

　　27.如权利要求26所述的发光二极管，其中该二氧化硅介电材料层及该金属电极经由一氧化铟锡层与该氮化铝镓铟材料呈物理接触。

　　28.一种用于被构成以发出一中心波长约为λ的光的一氮化镓材料的反射式电极结构包括：一金属电极；二氧化硅介电材料层以单一层形式形成在该氮化镓材料上，该二氧化硅介电材料层的厚度接近1.75λ；至少一对分布布拉格反射器形成在该二氧化硅材料上；及其中一部分的该金属电极形成在该二氧化硅介电材料层与该对分布布拉格反射器上方，另一部分的该金属电极与该氮化镓材料欧姆接触。

　　29.如权利要求28所述的反射式电极结构，其中所述分布布拉格反射器对的每一层透光，每一层具有不同的折射系数，及该每一分布布拉格反射器对的厚度是接近λ/4的数倍。

　　30.如权利要求28所述的反射式电极结构，其中该二氧化硅介电材料与该金属电极经由一氧化铟锡层与该氮化镓材料物理接触。

　　31.一种形成一发光二极管电极结构的方法，该方法包括以单一层形式形成厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2的一介电材料层于一半导体材料上，及形成一导电电极，以使得该介电材料将至少一部分的该导电电极隔离于该半导体材料，而使得另一部分的该导电电极电性接触该半导体材料。

　　32.一种发光二极管电极结构，该发光二极管包括具有一n型部分及一p型部分的一半导体材料该电极结构包括：一金属n型电极，电性导通于该半导体材料的该n型部分；一金属p型电极，电性导通于该半导体材料的该p型部分；一透光的介电材料层以单一层形式相对于该n型电极及该p型电极的至少之一而形成，以加强光的全内反射，该介电材料层的厚度接近在该介电材料中的光的一波长λ的1.75倍；及其中该半导体材料、该n型电极及该p型电极配合以定义出一侧向发光二极管结构。”

　　2023年10月10日，聚某公司请求国家知识产权局宣告本专利权利要求26-32无效。主要理由为：本专利权利要求26-32不具备《中华人民共和国专利法》（2000年修正，以下简称专利法）第二十二条第三款规定的创造性。聚某公司提交了证据1-2，其中证据1为WO2006/002614A1专利，公开日期为2006年1月12日。证据1公开了一种用于光电子半导体芯片的、用于施加到Ⅲ/Ⅴ化合物半导体材料上的具有多个层的反射层系统及其制造方法，并具体公开了以下内容：反射层系统由具有低折射率的介电层与反射的金属层构成，将反射层系统施加到Ⅲ/Ⅴ化合物半导体材料上，特别优选的是该反射层系统适于应用在薄膜发光二极管芯片中；由二氧化硅构成介电层1时，由在具有折射率n=3.4的衬底4上的介电层1和金属层3构成的反射层系统具有提高的积分反射率，在这样的情况下，衬底4例如可以由具有折射率为3.4的半导体材料构成（参见译文第6页第17-19行，附图3）；为了电接触，将导电的接触部位构造为穿过反射层系统，这些接触部位通过所有隔离的层产生Ⅲ/Ⅴ半导体材料的导电的连接（参见译文第3页第21-23行）；附图2a示出了通过反射层系统来电接触Ⅲ/Ⅴ半导体衬底4，从附图可见，介电层1将一部分金属层3隔离于半导体衬底4，而另一部分金属层3在电接触部位5电性接触半导体衬底4。

　　2024年4月29日，国家知识产权局作出被诉决定认为：（一）本专利权利要求26限定二氧化硅介电材料层的“厚度大于接近λ/2”，权利要求28限定二氧化硅介电材料层的“厚度接近1.75λ”，权利要求29限定每一分布布拉格反射器对的“厚度是接近λ/4的数倍”，权利要求32限定介电材料层的“厚度接近在该介电材料中的光的一波长λ的1.75倍”，其中的措辞“接近”造成这些权利要求限定的厚度范围无法明确确定，因此，包含该措辞的权利要求的保护范围不清楚。在半导体领域，并无约定俗成的理解涉及表述层厚时的“接近”代表工艺误差，本专利说明书也未对权利要求中的“接近”作相应的解释或定义。本领域技术人员基于本专利说明书和权利要求书的内容，并不能明确地理解权利要求中限定的层厚“接近”某一数值，其中的“接近”是指工艺误差。普某公司提交的反证1仅能证明在半导体领域，制造二氧化硅等薄膜时层厚存在误差以及可允许的误差范围，实际上这点确实是本领域所公知，但这并不能证明在权利要求中限定层厚“接近”某一数值就能明确理解为工艺误差范围内的“接近”。因此，本专利权利要求26、28、29、32保护范围不清楚，不符合《中华人民共和国专利法实施细则》（以下简称专利法实施细则）第二十条第一款的规定。另外，权利要求27引用权利要求26，权利要求30引用权利要求28，其对于所引用权利要求的进一步限定也未能克服保护范围不清楚的缺陷，因此，权利要求27、30的保护范围也不清楚，不符合专利法实施细则第二十条第一款的规定。（二）本专利权利要求31相对于证据1存在以下区别特征：介电材料层的厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2（以下简称区别特征）。基于该区别特征，权利要求31实际解决的技术问题是：使得波长为入的光从半导体材料入射到半导体材料和介电材料层的界面时，在大角度入射时能够发生全内反射现象。对于上述区别特征，被诉决定认为，光从光密介质入射到光疏介质时，为了可能在大角度入射时实现全内反射，光疏介质的厚度应大于隐失波（或称倏逝波、渐逝波等）的穿透深度，该穿透深度的大小在光波长量级，这是本领域的公知常识。基于此，为了可能发生全内反射现象而选择介电材料层（即光疏介质）的厚度大于光波长的1/2，这对于本领域技术人员是显而易见的。因此，权利要求31相对于证据1和本领域公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第二十二条第三款规定的创造性。国家知识产权局据此决定：宣告普某公司于2023年5月10日提交的权利要求书中的权利要求26-32无效。

　　普某公司不服，向一审法院提起诉讼，请求撤销被诉决定并判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实与理由为：（一）基于本专利的权利要求和说明书，本领域技术人员可以理解权利要求26至30、32中的“接近”是指在制造工艺允许的误差范围内接近特定的厚度值，被诉决定事实认定不清，法律适用错误。（二）权利要求31相对于现有技术和公知常识的结合具备创造性。1.证据1中的接触部位才是对应于导电电极的结构，而金属层3仅是客观上与接触部位电连接，即便是反射层中的金属层3经由接触部位而与半导体衬底4建立电连接，但其本身仍然是主要起反射作用的反射层系统的一部分，是与导电电极连接，其本身不应被认定为导电电极。被诉决定关于区别特征的认定错误。2.独立权利要求31实际解决的技术问题是：增加光的全内反射，进一步减少电极对光的不被期待的吸收，最终提高发光二极管的光取出效率。现有技术没有给出区别特征的技术启示，区别特征不属于公知常识。

　　国家知识产权局一审辩称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审查程序合法，审查结论正确，请求驳回普某公司的诉讼请求。

　　聚某公司一审述称：被诉决定认定事实清楚，适用法律正确，审查程序合法，审查结论正确，请求驳回普某公司的诉讼请求。

　　一审法院经审理认定了上述事实。

　　一审法院认为：本专利权利要求26限定二氧化硅介电材料层的“厚度大于接近λ/2”，权利要求28限定二氧化硅介电材料层的“厚度接近1.75λ”，权利要求29限定每一分布布拉格反射器对的“厚度是接近λ/4的数倍”，权利要求32限定介电材料层的“厚度接近在该介电材料中的光的一波长λ的1.75倍”。结合本专利说明书的记载，本专利是通过对二氧化硅电极材料层厚度的限定提高光的反射，说明书实施例记载的对于特定厚度的选择是准确的，并未限定应为“接近”或在特定数值附近。此外，技术方案中相关数值的选择及测定是否存在工艺误差，与权利要求的保护范围是否明确并无直接关系。针对本案涉及的半导体领域，本领域技术人员无法明确地确定权利要求中的“接近”的含义为工艺误差。因此，前述文字造成这些权利要求限定的厚度范围无法明确确定，导致权利要求的保护范围不清楚。被诉决定关于权利要求26-30、32的保护范围不清楚的认定无误。

　　关于权利要求31的创造性，普某公司主张证据1中的金属层3不能相当于权利要求31中的导电电极，故未公开区别特征“一种形成一发光二极管电极结构的方法，该方法包括以单一层形式形成一介电材料层于一半导体材料上，及形成一导电电极，以使得该介电材料将至少一部分的该导电电极隔离于该半导体材料，而使得另一部分的该导电电极电性接触”（以下简称区别特征2）。一审法院认为，证据1公开了通过刻蚀通孔并使金属层3填充到通孔中，以使金属层3与半导体衬底4建立电连接，该金属层3为电极层，相当于权利要求31中的导电电极。因此，权利要求31相对于证据1的区别特征为：介电材料层的厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2（以下简称区别特征1）。被诉决定基于该区别特征1，认定权利要求31实际解决的技术问题是：使得波长为λ的光从半导体材料入射到半导体材料和介电材料层的界面时，在大角度入射时能够发生全内反射，并无不当。

　　关于前述区别特征1，基于本领域的公知常识，光从光密介质入射到光疏介质时，为了可能在大角度入射时实现全内反射，光疏介质的厚度应大于隐失波（或称倏逝波、渐逝波等）的穿透深度，该穿透深度的大小在光波长量级。基于此，为了可能发生全内反射现象而选择介电材料层（即光疏介质）的厚度大于光波长的1/2，这对于本领域技术人员是显而易见的，权利要求31不具备创造性。

　　据此，一审法院依据《中华人民共和国行政诉讼法》第六十九条之规定，判决：“驳回原告普某公司的诉讼请求。案件受理费100元，由原告普某公司负担。”

　　普某公司不服一审判决，向本院提起上诉，请求撤销一审判决和被诉决定并判令国家知识产权局重新作出审查决定。事实和理由为：（一）本专利是通过研究和实验，得出了介电材料层厚度的合适取值，但是这些取值并非通过计算而得出，因此并非绝对值。相关权利要求中使用“接近”限定各个数值，是对应于客观实际的更为贴切的表述，是本领域技术人员能够理解的，不会导致保护范围不清楚。（二）被诉决定及一审判决关于本专利权利要求31不具备创造性的认定错误。1.被诉决定及一审判决遗漏了区别特征2：形成一导电电极，以使得该介电材料将至少一部分的该导电电极隔离于该半导体材料，而使得另一部分的该导电电极电性接触该半导体材料。具体理由为：证据1的金属层3不能被视为权利要求31中的导电电极。证据1中的接触部位才是导电电极，而金属层3仅是客观上与接触部位电连接，即便是反射层中的金属层3经由接触部位而与半导体衬底4建立电连接，但其本身仍然是主要起反射作用的反射层系统的一部分，并不排除光与之接触造成的吸收问题。2.被诉决定及一审判决错误认定本专利要解决的技术问题。区别特征在本专利中产生的技术效果是，因为设置了大于特定厚度的介电材料层，使得射向金属电极的光更多地能够发生全内反射，进一步减少电极对光的不被期待的吸收，使得该部分光返回半导体内，再通过其它方向路径射出半导体，最终提高发光二极管的光取出效率。基于该技术效果，权利要求31实际解决的技术问题是：提供一种通过增加光的全内反射，进一步减少电极对光的不被期待的吸收，最终提高发光二极管的光取出效率的方法。3.被诉决定和一审判决对公知常识的认定错误。第一，没有任何证据表明为了可能在大角度入射时实现全内反射，光疏介质的厚度应大于隐失波的穿透深度，以及该穿透深度的大小在光波长量级是本领域的公知常识。第二，《光学原理》中记载的深度是确切数值，不应随意扩宽。本专利权利要求31相对于证据1及本领域公知常识的结合是非显而易见的。

　　国家知识产权局二审辩称：被诉决定和一审判决事实认定清楚，法律适用正确，程序合法，应当予以维持。

　　聚某公司二审述称：被诉决定和一审判决事实认定清楚，法律适用正确，程序合法，应当予以维持。

　　本案二审期间，普某公司向本院提交了三组证据。

　　第一组证据包括：1.1979年出版的《光学》（第一版）；2.2004年出版的《光学》第四版；3.2017年出版的《光学》第五版。拟证明在本专利优先权日前，“为了实现全内反射，消除隐失波，将光疏介质的厚度设置为光波长的量级”并非本领域的公知常识。

　　第二组证据包括：4.2021、2022年全球照明COB封装厂商营收排名；5.本专利的同族专利在其他国家和地区的授权情况列表。拟证明本专利具有创造性，具有较高的专利价值。本专利是行业基础性专利，使得普某公司产品在国际市场竞争中具有竞争优势。

　　第三组证据包括：6.（2019）最高法知行终127号行政判决；7.（2020）最高法知行终35号行政判决；8.（2012）行提字第18号行政判决。拟证明被诉决定、一审判决关于本专利创造性的认定不符合有关创造性的审查、审判标准。

　　国家知识产权局和聚某公司的质证意见：认可所有证据的真实性、合法性，但不认可其证明目的。

　　本院认证意见为：认可第一组证据的真实性、合法性、关联性。第二组证据涉及的同族专利情况以及COB封装厂商营收排名情况等，可以作为本案的参考因素，但不能直接证明本案争议的事实。第三组证据与本案事实无关，可以作为本案法律适用的参考。

　　本院经审理查明：一审法院认定的事实属实，本院予以确认。

　　本院另查明：国家知识产权局依职权对本专利权利要求26—32的保护范围是否清楚、是否符合专利法实施细则第二十条第一款的规定进行了审查。

　　1979年出版的《光学》第158页至165页记载：当入射角大于或等于临界角时，全部流入的能量都被返回入射媒质，这个过程叫做全内反射。略去在物理上站不住脚的正指数项，我们得到一个其振幅随着透入光疏媒质的深度作指数衰减的波，这个扰动作为一个所谓表面波或倏逝波沿着x方向行进，注意波振面或等位相面（平行于yz平面）同等振幅面（平行于xz平面）垂直，因此这个波是一个不均匀波，它的振幅在y方向上急速衰减，在第二种媒质中在只有几个波长的距离上就变成可以忽略不计了。设想在一块玻璃中行进的一束光在边界上被内反射，如果我们把另一块玻璃压在第一块玻璃上，那么大概能够使空气-玻璃界面消失，而光束于是向前传播不受干扰，而且，我们可以预料这一从全内反射到无反射的过渡是随着空气变薄而逐渐发生的，就是由于这个原因，如果你拿着一个玻璃酒杯或者一块棱镜，那么就可以看到你的指纹的纹脊，而同一区域的别的地方由于全内反射都像镜子似的，用更一般的话来说，如果倏逝波能够以可观的振幅穿过光疏媒质伸展到附近一个充满折射率高的材料的区域，能量现在就能够穿过间隙流动了，这个过程叫做受抑全内反射。换句话说，如果已经越过间隙的倏逝波仍然够强，足以策动“抑制”媒质中的电子，那么它们接下去又会产生一个波，这个会显著地改变场的形态，从而允许能量流动，图4.32是受抑全内反射的一个相当粗略的示意图，其中描绘波阵面的那些线的宽度在穿过间隙后减小了，以表示它是残余的部分，场的振幅也以同样的方式减小，整个过程非常类似于位垒穿透或隧道效应这种量子力学现象。

　　聚某公司一审提交的1978年出版的《光学原理》第71、72页1.5.4“全反射”部分记载：所有入射光这时全部被反射回第一媒质，因此我们说它是全反射。虽然如此，第二媒质中的电磁场并未化归乌有，只不过是不再有能量流过界面。可以看出，振幅随进入深度z减小得非常快，有效进入深度大约是,即大约一个波长。

　　本院还查明：2023年4月3日，聚某公司请求国家知识产权局宣告本专利权全部无效。国家知识产权局作出第564027号无效宣告请求审查决定，宣告本专利权利要求1-25无效，在权利要求26-32的基础上维持本专利权有效；普某公司不服，向一审法院提起诉讼。一审法院于2024年8月27日作出（2024）京73行初113号行政判决，驳回普某公司的诉讼请求；普某公司不服，向本院提起上诉，二审案号为（2024）最高法知行终1075号。

　　本院认为：本案系发明专利权无效行政纠纷。本专利申请日为2006年8月31日，优先权日为2006年5月19日，在2000年修正的专利法施行日（2001年7月1日）之后、2008年修正的专利法施行日（2009年10月1日）之前，本案应适用2000年修正的专利法以及2000年修订的专利法实施细则。本案二审争议焦点问题是：（一）本专利权利要求26-30、32的保护范围是否清楚；（二）权利要求31是否具备创造性。

　　（一）关于权利要求26-30、32的保护范围是否清楚

　　权利要求的保护范围应当根据其所用词语的含义来解释，权利要求的撰写一般不能使用含义不确定的用语。权利要求中应当尽可能避免使用“约”“接近”“等”“或类似物”等可能导致保护范围不清楚的用语，除非根据本领域技术人员的通常理解以及本专利的说明书和附图，权利要求的保护范围不会因这类用语的使用导致保护范围不清晰。

　　本案中，权利要求26-30、32中均使用“接近”一词限定介电层厚度，普某公司主张其与工艺误差有关，并不会导致所述权利要求的保护范围不清楚。本院对此不予认同。第一，以“接近”描述层厚是出于工艺误差的考虑并非半导体领域约定俗成的理解。第二，本专利说明书及附图中，均没有对“接近”给出相应的定义或释义，也没有进行相应的具体说明，无助于本领域技术人员明确其含义。第三，权利要求1、31中均明确限定介电材料的厚度大于在该介电材料中的光的一波长λ的1/2，并未使用“接近”来限定介电层的厚度。综上，被诉决定和一审判决的相关认定并无不当。

　　（二）关于本专利权利要求31是否具备创造性

　　1.关于是否遗漏区别特征2。普某公司主张证据1的金属层3不同于权利要求31中的导电电极，被诉决定和一审判决遗漏了区别特征2“形成一导电电极，以使得该介电材料将至少一部分的该导电电极隔离于该半导体材料，而使得另一部分的该导电电极电性接触该半导体材料”。本院对此不予认同，理由如下：普某公司认可证据1中的金属层3与半导体层4电连接。因此，金属层3客观上起到了电极作用。普某公司所称的金属电极作为反射层系统的一部分，并未排除光与之接触以及由此产生的光吸收问题。本领域技术人员均知悉，对于光的吸收以及反射均是金属材料客观具备的物理特性。本案中，导电电极和金属层均是金属材料，没有证据证明其物理特性存在本质不同，普某公司的相关主张不能成立。

　　2.关于区别特征1的认定。证据1公开了GaN、GaP或者GaAs的Ⅲ/Ⅴ化合物半导体材料，通过改变组分含量，可以调节材料的带隙能量，从而控制发光波长。AlGaInN的发光波长通常为200-1000纳米，折射率‌通常在2.2至3.5之间变化；AlGaInP的发光波长通常为590-680纳米，折射率‌通常在1.5至3.5之间变化；AlGaInAs的发光波长通常为1310-1550纳米，折射率‌通常在2.9至3.5之间变化。要计算从半导体层发出并入射到介电材料中的光波长，还需要用波长除以介电材料的折射率，介电材料的折射率大于1，故选择较厚的介电层时（如0.9、1.0微米时），其厚度实际上已经大于二氧化硅介电材料中的光波长λ的1/2。基于证据1与权利要求31的组成、结构以及本领域的基本原理，二者都涉及产生全内反射的问题，故证据1隐含公开了区别特征1。

　　即使证据1未直接公开区别特征1，权利要求31也不能因此具备创造性。具体理由如下：

　　第一，本专利说明书[0273]段记载，在氮化镓与二氧化硅的界面情况下，临界角接近37度。根据本专利说明书[0279]至[0281]段以及参考说明书附图12B、12C，介电层厚度从λ/16增大至λ/2时，入射角在40多度时，全内反射现象发生，当继续增大至1.75λ时，在37度左右发生全内反射现象，再增大至1.85λ，触发全内反射现象的入射角没有改变。据此可知，基于介电层厚度这一区别特征，本专利实际解决的技术问题是使得波长为λ的光从半导体材料入射到半导体材料和介电材料层的界面时，在大角度入射能够发生全内反射现象。被诉决定和一审判决关于实际解决的技术问题的认定并无不当。

　　第二，虽然证据1公开的是积分反射率，即所有空间角度方向上的反射率提升，并未明确提及全内反射。但是，基于在案证据以及本领域的公知常识，本领域技术人员可以很容易地想到提高全内反射率与提升积分反射率之间存在相关性。为了实现尽可能高的反射率，本领域技术人员在证据1给出的技术启示下，很容易想到使得半导体材料和介电层界面发生全内反射。

　　第三，各方当事人均认可，发生全内反射时会形成倏逝波（即隐失波），其透入光疏介质一定深度属于本领域的公知常识。普某公司认为在案的公知常识性证据并未记载穿透深度对全内反射的影响，故区别特征1并非公知常识，也不能通过有限次试验获得。本院对此不予认同。证据1公开了在折射率为3.4的Ⅲ/Ⅴ族化合物半导体材料上设置二氧化硅介电层1和金属层3的结构，故证据1是一个光密—光疏—光密的结构，为了提升半导体材料和介电层界面的全内反射率，根据1979年出版的《光学》的教导，本领域技术人员会避免倏逝波的振幅穿过介电层伸展到折射率高的金属电极，触发受抑全内反射导致能量泄露，故介电层的厚度设置不能过薄。1979年出版的《光学》还记载了倏逝波在光疏介质中只有几个波长的距离上就变成可以忽略不计。1978年出版的《光学原理》也记载了振幅随进入深度z减小得非常快，有效进入深度大约一个波长。基于前述公知常识性证据的启示，本领域技术人员在选择设置介电层的厚度时，很容易想到在波长量级上进行有限次试验，且能够合理预期随着介电层厚度的增加，半导体材料和介电层之间的全内反射会从无到有，且触发全内反射的角度会不断缩小，即全内反射不断增加直至不变。据此，本领域技术人员可以根据据此进行相应的有限选择。

　　综上，权利要求31相对于证据1和公知常识的结合不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。被诉决定和一审判决认定权利要求31不具备创造性的结论正确。

　　综上所述，普某公司的上诉请求不能成立，应予驳回。一审判决认定事实清楚，适用法律正确，应予维持。根据《中华人民共和国行政诉讼法》第八十九条第一款第一项之规定，判决如下：

　　驳回上诉，维持原判。

　　二审案件受理费100元，由普某公司负担。

　　本判决为终审判决。

　　审判长杜微科

　　审判员徐卓斌

　　审判员左慧玲

　　二〇二五年六月三十日

　　法官助理张楠

　　法官助理李秀丽

　　书记员赵嘉睿